Laporan Praktik Elektronika Analog - Karakteristik Dioda P-N

 

LAPORAN PRAKTIKUM INDIVIDU

 

 

 

Judul Praktikum                        : Karakteristik Dioda P-N

Mata Kuliah / Kode                  : Praktik Elektronika Analog

Semester / SKS                        : 5 / 2 SKS

 

Nama Mahasiswa                     : Handi Suryawinata

NIM                                        : 5301412061

Kelompok                                : 6

Tanggal Praktikum                    : 10 September 2014

Tanggal Penyerahan Laporan    : 17 Desember 2014

 

Dosen Pengampu                      : Drs. Suryono M,T.

 

Nilai                                         :

 

LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO, S1

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG

 

FAKULTAS TEKNIK UNNES SEMARANG

LAB ELEKTRO

Karakteristik Diode P-N

Smt: 5

No:  2

Jurusan: PTE

Waktu: 2 SKS

 

A.     TUJUAN

Selesai melaksanakan kegiatan praktikum, diharapkan mahasiswa dapat: Menggambarkan kurva karakteristik dari diode P-N dan pengalaman menggunakan peralatan ukur.

 

B.     DASAR TEORI

 

Kita mengenal hukum ohm yaitu:

E= I . R  ;      I= E/R  ;        R=I/E

Sehingga dapat disimpulkan:

- Tegangan dinyatakan dengan nilai volts disimbolkan dengan E atau V

- Arus dinyatakan dengan ampere, dan diberi simbol I

- Hambatan dinyatakan dengan ohms diberi simbol R

     

Besarnya daya pada suatu rangkaian dapat dihitung  dengan rumus:

 

P=V.I atau P=I2. R  atau P= V2/R

Dimana:

P = daya, dengan satuan watt,

V = tegangan dengan satuan volt,

I  = arus dengan satuan ampere.

 

Suatu diode yang diberi tegangan tertentu akan memiliki tegangan diode (VD) dan arus diode (ID) yang saling berhubungan sehingga membentuk karakteristik dari diode tersebut. Karakteristik diode umumnya dinyatakan dengan grafik hubungan antara tegangan pada diode (VD) dengan arus yang melewatinya (ID) sehingga disebut karakteristik tegangan-arus (V-I). Secara teoritis, hubungan antara tegangan diode dan arus diode dinyatakan oleh suatu Persamaan:

 

ID = Is (e VD/ήvT – 1 )

 

dimana:

ID = arus diode, positif jika di dalam diode arahnya dari anode ke katode

IS = arus mundur jenuh ( 10-8 s.d 10-14 A)

VT= tegangan kesetaraan suhu

ή  = koefisien emisi, antara 1 – 2 dan untuk silicon pada arus normal mendekati 2

e  = bilangan natural = 2,72

C.     ALAT DAN BAHAN YANG DIPERLUKAN

 

1.      Unit Karakteristik diode P-N                1 buah

2.      Multimeter                                            1 buah

3.      Power Supply                                       1 buah

4.      Kabel konektor                                    secukupnya

5.      Diode Germanium P-N             1 buah

6.      Diode Silikon P-N                                1 buah

 

D.    LANGKAH KERJA

1.      Mengambil salah satu diode P-N germanium atau silicon (mengenali lebih dulu Ge atau Si dari buku data), dan menghubungkan seperti gambar rangkaian.

2.      Merangkai seperti gambar, dimana V adalah pengatur tegangan DC, sedangkan mA meter  untuk mengukur arus DC.

3.      Mengatur tegangan power supply dc mulai 0 Volt hingga  3 Volt. catat penunjukan mA meternya   dalam table 1.

4.      Membalik hubungan diode, sehingga diberi tegangan balik (reverse voltage) kemudian mengatur lagi VAA mulai 0 Volt hingga 5 Volt , amati penunjukan mA meter dan mencatat pada table 1.

5.      Menggunakan hukum ohm, untuk menghitung atau mendapatkan nilai resistansi diodenya (saat forward bias maupun reverse bias). Mencatat hasilnya dalam table 1.

 

E.     GAMBAR RANGKAIAN

 

 

 

 

 


Gambar 1. Rangk Dioda dengan tegangan forward

 

 

 

 

 

 

 


Gambar 2. Rangk Dioda dengan tegangan reverse

Keterangan:

VAA        = sumber tegangan yang dapat diatur tegangannya,

S          = sakelar/switch

R          = resistor

A          = Ampere meter

V          = Volt meter

D          = diode silicon/germanium

 

 

F.      DATA HASIL PENGAMATAN

1.      Hasil pengukuran diode germanium

 

Tabel 1a :  Hasil pengamatan pada saat tegangan forward

V

ID

VAA

R = VAA/ID

0

0

0

0

9

0,9 m

10

11,1

13,5

1,2 m

15

12,5

 

Tabel 1b :  Hasil pengamatan pada saat tegangan reverse

V

ID

VAA

R = VAA/ID

0,01

4 n

5

125

0,015

5 n

10

200

0,023

7 n

15

214,3

2.      Hasil pengukuran diode silicon

 

Tabel 2a :  Hasil pengamatan pada saat tegangan forward

V

IZ

VAA

R = VAA/IZ

4,4

0,4 m

5

12,5

10

0,9 m

10

11,1

14

1,35 m

15

11,1

 

Tabel 2b:   Hasil pengamatan pada saat tegangan reverse

V

ID

VAA

R = VAA/ID

0

0

5

-

0

0

10

-

0

0

15

-

 

 

G.    KESIMPULAN

 

Pada saat dioda menglami forward,dioda dapat mengalirkan listrik. Pada kondisi ini dioda seakan menjadi short, walaupun dioda mengalami short hasil pengukuran tegangan pada dioda tidak mnunjukkan angka nol volt. Sebaliknya, pada kondisi reverse arus listrik tidak dapat mengalir.

 

H.    LAMPIRAN LAPORAN SEMENTARA



DOWNLOAD LAPORAN INI SELENGKAPNYA DISINI


 

Terima Kasih Anda Telah Membaca Artikel
Judul: Laporan Praktik Elektronika Analog - Karakteristik Dioda P-N
Ditulis Oleh Handi
Berikanlah saran dan kritik atas artikel ini. Salam blogger, Terima kasih

Post a Comment